IBM ще разкрие подробности за новите си графенови чипове по време на форум в началото на декември във Вашингтон. На International Electron Device Meeting компанията ще представи технологичен процес, близък до този, който се използва в производството на силициеви CMOS чипове.

Графенът представлява решетка от въглеродни атоми с дебелина един атом и 40 пъти по-висока плътност от тази на силициевите чипове. На пътя на този материал обаче стоят сериозни технологични проблеми.

До момента изследователите са създали само отделни прибори и прости интегрални схеми. Но IBM вече е готова за серийно производство с използване на 200-мм графенови пластини и технологичен процес, съвместим с CMOS, съобщи eetimes.com.

Превъзходните електрически качества правят графена инертен, което затруднява формирането на слоеве върху него, в частност нанасянето на диелектрик, който изолира транзисторния гейт.

За да решат този проблем, учените са тръгнали по обратния път - първо са формирали необходимите структури на силициева пластина и върху нея са нанесени графенови слоеве с помощта на вакуум. След това към графеновия слой са свързани контактите, които играят ролята на сорс и дрейн, като така е създаден пълноценен транзистор.

Новият чип на IBM, който ще бъде показан през декември, представлява радиочестотен удвоител, работещ на честота 2 GHz.