Корейският технологичен гигант Samsung планира да започне масово производство на чипове по 3-нанометров процес GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors) през 2021 година, съобщават специализирани издания.

Samsung и други компании разработват полупроводниковата технология GAAFET от началото на новия век. Тази технология трябва да замени актуалната в момента FinFET (Fin Field-Effect Transistor) и да преодолее съществуващите ограничения в производителността и мащабируемостта, отбелязва Tom’s Hardware.



Архитектурата на транзисторите GAAFET предполага, что кръглият нанопроводников канал, разположен вертикално или хоризонтално, ще бъде обхванат от всички страни от затвора (гейт). При транзисторите FinFET затворът опасва канала не напълно, а само от три страни.

Подходът GAAFET намалява загубата на напрежение и увеличава ефективността на работа на транзисторите. А това, от своя страна, позволява да бъде намалено работното напрежение и съответно консумацията на енергия.

Преди две години Samsung обяви, че ще започне производство по 4-нм технология GAAFET през 2020 г. Тогава някои анализатори бяха скептични и твърдяха, че масовото производство с използване на GAAFET едва ли ще стартира по-рано от 2022 г. Сега обаче този скептицизъм е преодолян и дори се очаква Samsung да пристъпи към производство на GAAFET чипове по-рано, отколкото се очакваше.