Група компании, обединени около IBM, представи нов 32-нанометров процесор, изпълнен по технологията „high-k/metal gate”. Чипът е произведен в завода на IBM в град Ист Фишкил, щата Ню Йорк.
Процесорът има с 35% по-висока производителност от аналозите си, проектирани по 45-нанометрова технология. Консумацията на чипа е по-ниска с 30-50%, при еднакво захранващо напрежение.
Комерсиални варианти на процесора се очакват през третото тримесечие на настоящата година. Тестове на IBM показват, че на базата на технологията high-k/metal gate могат да се произвеждат и следващо поколение, 22-нанометрови чипове.
Използваната в момента силициева технология за направата на чипове вече изчерпва своя потенциал за намаляване на размерите на транзисторите. При технологията на IBM силициевият диоксид в транзисторите се заменя със сплав на основата на хафний, който е добър диелектрик.