IBM и Micron Technology, ще започнат производството на ново устройство за съхранение на данни, което ще бъде изградено с помощта на CMOS (omplementary-symmetry metal–oxide–semiconductor) технология и вертикални електрически проводници (Тhrough-silicon vias - TSV). Усъвършенстваният процес на IBM за производство на TVS чипове ще даде възможност на Hybrid Micron Memory Cube (HMC) на Micron Technology да постигне скорост 15 пъти по-бърза от тази на съвременните технологии за съхранение на данни.

"Способността ни да използваме TSV за масово производство на CMOS, като интегрираме и други чип технологии, е много съществен успех за преминаването към производство на триизмерни полупроводници.", споделя Субу Ийер, IBM Fellow.

"HMC дава гъвкаво решение за съхранение на информация, което измерва количеството трансферирани данни, като същевременно е и енергийно ефективно.", казва Скот Греъм, генерален мениджър на DRAM Solutions в Micron.

HMC изисква 70% по-малко енергия за трансфер на данни при малки размери – само 10% от размера на традиционните устройства за съхранение на данни. Частите за HMC ще бъдат изработвани във фабриката за полупроводници на IBM в East Fishkill, в Ню Йорк, като при производството ще се използва технологията High-K/Metal Gate за изработване на 32nm.

IBM представи TSV технологията на тазгодишната международна среща IEEE International Electron Devices Meeting. Освен тази технология компанията представи и няколко изследователски открития, които биха могли да спомогнат за създаването на значително по-малки, по-бързи и по-мощни компютърни чипове. Учените от IBM успешно са разработили и използвали нови материали и архитектура на пластина с диаметър 200 мм. За изработката на пластината изследователите са използвали графен, въглеродни нанотръби и Racetrack памет. Тези открития биха могли да предоставят нова технологична основа за обединяване на компютърни системи, комуникации и потребителска електроника.