Intel завърши разработката на своите технологични процеси за 1,8-нм (Intel 18A) и 2-нм (Intel 20A) чипове, които ще бъдат използвани както в бъдещите продукти на компанията, така и в продукти за „трети страни” по програмата за договорно производство Intel Foundry Services (IFS), съобщи китайското издание UDN.

Завършването на двата усъвършенствани процеса не означава, че Intel вече е готов да произвежда чипове според технологичните стандарти 18A и 20A, коментира Руи Уанг, старши вицепрезидент и ръководител на китайското подразделение на компанията, цитиран от UDN.



По-скоро това показва, че американският полупроводников гигант е взел решение относно всички характеристики на посочените технологични процеси, материали, технически изисквания и очаквани показатели за ефективност на двете технологии.

Intel 20A ще използва нова структура на транзистора RibbonFET с кръгов гейт Gate-All-Around (GAA), както и нова захранваща схема Back Side Power Delivery (BSPD). Едновременното въвеждане на по-малки транзистори, нова транзисторна архитектура и нова захранваща верига е рискован ход за Intel, но компанията очаква процесът 20A да ѝ осигури предимство спрямо конкуренти като TSMC и Samsung.

Intel планира да започне производство по новата 20A технология през първата половина на 2024 г. Що се отнася до технологията Intel 18A, очаква се компанията да я внедри преди края на същата година и да повиши ефективността на полупроводниковите устройства с още 10%.