Kioxia и Western Digital са разработили чип 3D NAND флаш памет с 218 слоя и капацитет от 1 терабит, за който се твърди, че има най-голямата досега плътност. Чиповете ще се произвеждат както с 3-битови клетки (TLC), така и с 4-битови (QLC).

Според двете компании, новите чипове имат най-високата плътност на битове в индустрията на флаш паметите. Техни образци вече са получени за тестване от ограничен кръг клиенти. Новата памет ще намери място в смартфони, интернет устройства и SSD дискове.



218-слойната 3D NAND памет принадлежи към осмо поколение на BiCS FLASH продуктите на Kioxia и Western Digital. Деветото поколение ще съдържа чипове с повече от 300 слоя.

Партньорите използват „залепване” на кристали, за да увеличат броя на слоевете. Освен това клетъчният масив и контролерът се произвеждат отделно и се сглобяват във вертикален стек в процеса на „залепване”.

По-рано Kioxia и Western Digital интегрираха контролерите в клетъчните масиви. Китайската компания YMTC първа започна да произвежда отделно контролерния чип по технологията Xtacking.